BJT vs IGBT
BJT (bipolarni spojni tranzistor) i IGBT (bipolarni tranzistor sa izolovanim vratima) su dvije vrste tranzistora koji se koriste za kontrolu struja. Oba uređaja imaju PN spojeve i različitu strukturu uređaja. Iako su oba tranzistori, imaju značajne razlike u karakteristikama.
BJT (bipolarni spojni tranzistor)
BJT je tip tranzistora koji se sastoji od dva PN spoja (spoj napravljen povezivanjem poluprovodnika tipa p i poluprovodnika tipa n). Ova dva spoja se formiraju spajanjem tri poluvodička dijela po redoslijedu P-N-P ili N-P-N. Stoga su dostupne dvije vrste BJT-a, poznate kao PNP i NPN.
Tri elektrode su spojene na ova tri poluvodička dijela, a srednji vod se naziva 'baza'. Druga dva spoja su 'emiter' i 'kolektor'.
U BJT-u, struja velikog kolektora emitera (Ic) je kontrolirana malom baznom strujom emitera (IB), a ovo svojstvo se koristi za dizajniranje pojačala ili prekidača. Stoga se može smatrati uređajem koji se trenutno pokreće. BJT se uglavnom koristi u krugovima pojačala.
IGBT (bipolarni tranzistor sa izolovanim vratima)
IGBT je poluprovodnički uređaj sa tri terminala poznata kao "emiter", "kolektor" i "kapija". To je vrsta tranzistora, koji može podnijeti veću količinu energije i ima veću brzinu prebacivanja što ga čini visoko efikasnim. IGBT je uveden na tržište 1980-ih.
IGBT ima kombinovane karakteristike MOSFET-a i bipolarnog spojnog tranzistora (BJT). Pokreće ga gejt kao MOSFET i ima trenutne naponske karakteristike kao BJT. Stoga ima prednosti i visoke sposobnosti rukovanja strujom i lakoće kontrole. IGBT moduli (sastoje se od više uređaja) upravljaju kilovatima snage.
Razlika između BJT i IGBT
1. BJT je uređaj koji pokreće struja, dok IGBT pokreće napon gejta
2. Terminali IGBT su poznati kao emiter, kolektor i gejt, dok je BJT napravljen od emitera, kolektora i baze.
3. IGBT su bolji u upravljanju energijom od BJT
4. IGBT se može smatrati kombinacijom BJT i FET (Field Effect Tranzistor)
5. IGBT ima složenu strukturu uređaja u poređenju sa BJT
6. BJT ima dugu istoriju u poređenju sa IGBT
